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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MPSW42RLRAG 

产品描述

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

内部编号

277-MPSW42RLRAG

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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MPSW42RLRAG产品详细规格

规格书 MPSW42RLRAG datasheet 规格书
MPSW42RLRAG datasheet 规格书
MPSW42
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 1W
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body Formed Leads
供应商器件封装 TO-92
包装材料 Cut Tape (CT)
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 300 V
集电极最大直流电流 0.5 A
最小直流电流增益 25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V
最大工作频率 50(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@2mA@20mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.5
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1000
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 300
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-92
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 30mA, 10V
其他名称 MPSW42RLRAGOSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 25 at 1 mA at 10 V
增益带宽产品fT 50 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 300 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.5 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 300 V
集电极 - 发射极电压 300 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 50 MHz
功率耗散 1 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 25
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 50 MHz
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 25
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :300V
Transition Frequency ft :50MHz
功耗 :1W
DC Collector Current :500mA
DC Current Gain hFE :50
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.00045
Tariff No. 85412100
associated 80-4-5

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